- 반도체 미세 패턴 박막 증착 공정(ALD/CVD 공정)용 화학물질

 - 박막의 전기적 특성에 따라서 전도체, 반도체, 절연체 박막을 형성

 - 박막의 용도에 따라서 high-k, low-k, electrode, metal, barrier metal, ULTO, ACL 등으로 구분

 - 공정 後 소자에 잔존하는 박막과 공정 後 제거되는 희생박막으로 구분

 - 30nm 이하 설계룰에서 DPT용 ULTO 및 DRAM용 high-k 제품 수요 증가